MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 45 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3039
- Nº ref. fabric.:
- IPD135N08N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,425 € | 1.062,50 € |
| 5000 + | 0,404 € | 1.010,00 € |
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- Código RS:
- 218-3039
- Nº ref. fabric.:
- IPD135N08N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.5mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.5mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon OptiMOS™ de potencia de canal N. OptiMOS™ es el líder del mercado en soluciones altamente eficientes para la generación de energía (por ejemplo, un micro inversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico).
Canal N, nivel normal
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