MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 45 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
262-6767
Nº ref. fabric.:
IRFR2607ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este diseño tiene características adicionales como temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada.

Resistencia de conexión ultrabaja

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

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