MOSFET Infineon IPD30N08S2L21ATMA1, VDSS 75 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-5971
Nº ref. fabric.:: IPD30N08S2L21ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD30N08S2L21ATMA1, VDSS 75 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 16/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,652 €

(exc. IVA)

0,789 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,652 €	1.630,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5971
Nº ref. fabric.:: IPD30N08S2L21ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	26 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	136 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	6.22mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	56 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	6.73mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.41mm