MOSFET, N-Canal Infineon IPD30N08S2L21ATMA1, VDSS 75 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 827-5120
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N08S2L21ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 827-5120
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N08S2L21ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 75 V, corriente de drenaje continua máxima de 30 A - IPD30N08S2L21ATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para sistemas electrónicos exigentes, que proporciona una conducción controlada entre el drenaje y la fuente en configuraciones de modo de mejora de canal N. Está diseñado para montaje en superficie en diseños de potencia compactos y para uso donde se requieren temperaturas de funcionamiento elevadas y certificación de grado automovilístico.
Características y ventajas:
• Tensión de drenaje de 75 V que permite una conmutación robusta de alta tensión
• Corriente continua de 30 A que admite un suministro de carga considerable
• Rds(on) bajo de 26 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Capacidad de disipación de 136 W que facilita el margen térmico en los diseños
• Carga de puerta típica de 56 nC que mejora el control de velocidad de conmutación
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite esquemas de accionamiento de puerta flexibles
• Corriente continua de 30 A que admite un suministro de carga considerable
• Rds(on) bajo de 26 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Capacidad de disipación de 136 W que facilita el margen térmico en los diseños
• Carga de puerta típica de 56 nC que mejora el control de velocidad de conmutación
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite esquemas de accionamiento de puerta flexibles
Aplicaciones
• Apto para etapas de convertidor dc-dc de automoción
• Ideal para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se utiliza con circuitos frontales de inversor de accionamiento por motor
• Se puede utilizar para convertidores de punto de carga de alta eficiencia
• Adecuado para la gestión de potencia a nivel de placa en vehículos
• Ideal para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se utiliza con circuitos frontales de inversor de accionamiento por motor
• Se puede utilizar para convertidores de punto de carga de alta eficiencia
• Adecuado para la gestión de potencia a nivel de placa en vehículos
¿Qué tipo de embalaje deben esperar los diseñadores para el diseño de placas de circuito impreso?
El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en superficie, lo que afecta al diseño de patrón de tierra y almohadilla térmica.
¿Cómo soporta el dispositivo condiciones ambientales extremas?
Está clasificado para funcionar en un amplio rango de temperaturas de –55 a 175 °C para adaptarse a entornos de alta temperatura.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para los circuitos de control?
El valor nominal máximo de fuente-puerta es de ±20 V
Los circuitos de accionamiento de puerta deben limitar las excursiones dentro de este rango y tener en cuenta la carga de puerta típica de 56 nC al dimensionar los controladores.
¿Hay limitaciones de rendimiento térmico específicas que hay que planificar?
Con una disipación de potencia máxima de 136 W, la gestión térmica debe tener en cuenta las vías de conducción y el disipador de calor a nivel de placa para mantener los límites de unión.
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