MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-2257
Nº ref. fabric.:
AUIRFR024NTRL
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Infineon AUIRFR024NTRL está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción y el diseño celular de los MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.

Tecnología planar avanzada

Valor nominal dv/dt dinámico de resistencia de conexión baja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Completamente avalancha nominal

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Sin plomo, Conformidad RoHS

Apto para automoción

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