MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP80R1K2P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
218-3073
Nº ref. fabric.:
IPP80R1K2P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.45mm

Longitud

10.36mm

Anchura

4.57 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 800V CoolMOS™ P7. La serie P7 CoolMOS™ 800V de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer completamente las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial.

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