MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA80R650CEXKSA2, VDSS 800 V, ID 4.5 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
258-3778
Nº ref. fabric.:
IPA80R650CEXKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

IPA

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

650mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Infineon 800V CoolMOS CE es una familia de dispositivos de alto rendimiento que ofrece una tensión de ruptura de 800 voltios. El CE se dirige a aplicaciones de electrónica de consumo, así como a la iluminación. La nueva serie de selección de 800 V está dirigida específicamente a aplicaciones de LED. Con esta familia CoolMOS específica, Infineon combina una larga experiencia como proveedor líder de MOSFET de superunión con la mejor innovación de su clase.

Baja resistencia específica en estado activo

Almacenamiento de energía muy baja en la capacitancia de salida a 400 V

Alta fiabilidad

Fácil de usar

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