MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 3.7 A, IPAK de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*

21,45 €

(exc. IVA)

25,95 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 8775 unidad(es) más para enviar a partir del 27 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
75 - 750,286 €21,45 €
150 - 3000,22 €16,50 €
375 - 6750,206 €15,45 €
750 - 18000,191 €14,33 €
1875 +0,177 €13,28 €

*precio indicativo

Código RS:
218-3081
Nº ref. fabric.:
IPU60R2K1CEAKMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS CE

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.1Ω

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

22W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.41 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 600V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. La serie CoolMOS™ CE proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento de reducción de costes disponible en el mercado. Este MOSFET se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonante.

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

Enlaces relacionados