MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 71 A, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 218-3125
- Nº ref. fabric.:
- IRFU7546PBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 218-3125
- Nº ref. fabric.:
- IRFU7546PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 71A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.9mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 87nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 99W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 71A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.9mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 99W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.39mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET. Se utiliza para aplicaciones en las
Sin plomo, conformidad con RoHS
Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados
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