MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R180P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3087
Nº ref. fabric.:
IPW60R180P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

72W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.1mm

Anchura

5.21 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie CoolMOS™ 600V. El MOSFET de súper empalme (SJ) CoolMOS™ P7 600V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 600V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño.

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación

Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación

Excelente resistencia ESD >2kV (HBM) para todos los productos

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