MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
214-9118
Nº ref. fabric.:
IPW65R125C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35nC

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

101W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Altura

21.1mm

Longitud

16.13mm

Anchura

5.21 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. La gama de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de súper unión de conmutación rápida que ofrecen mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.

Fácil de usar/conducir

Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC (J-STD20 Y JESD22)

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