MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 911-4849
- Nº ref. fabric.:
- SPW47N60C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 30 unidades)*
215,64 €
(exc. IVA)
260,91 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 480 unidad(es) más para enviar a partir del 10 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 7,188 € | 215,64 € |
| 60 - 60 | 6,829 € | 204,87 € |
| 90 + | 6,397 € | 191,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 911-4849
- Nº ref. fabric.:
- SPW47N60C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 252nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 415W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.95mm | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 252nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 415W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.95mm | ||
Anchura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, corriente de drenaje continua máxima de 47 A, disipación de potencia máxima de 415 W - SPW47N60C3FKSA1
Este MOSFET de alto voltaje está diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia. Con su configuración de canal N, ofrece un rendimiento constante en diversos entornos. Capaz de manejar una corriente de drenaje continua de 47 A, sirve para múltiples fines industriales y de automatización, garantizando fiabilidad y eficacia en las tareas de conmutación.
Características y ventajas
• Alto rendimiento con una tensión nominal máxima de 650 V
• La baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 70mΩ mejora la eficiencia energética
• Capacidad de disipación de energía de 415 W para aplicaciones intensivas
• Los canales configurados para el modo de mejora permiten un control mejorado
• Diseñado para montaje pasante para una integración sencilla
Aplicaciones
• Adecuado para la conversión de energía renovable
• Se emplea en circuitos de accionamiento de motores para mejorar la eficiencia
• Se utiliza en sistemas de gestión de la energía para aumentar la estabilidad
¿Cuál es el intervalo de temperatura óptimo para el funcionamiento de este aparato?
El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, lo que aumenta su fiabilidad en distintos entornos.
¿Cómo puede integrarse en los sistemas eléctricos existentes?
Este MOSFET está diseñado para montaje pasante, por lo que es compatible con los diseños de PCB estándar para una fácil integración.
¿Cuáles son las consideraciones de seguridad al utilizar este componente?
Es fundamental garantizar que la tensión puerta-fuente se mantenga entre -20 V y +20 V para evitar daños durante el funcionamiento y mantener la estabilidad del sistema.
¿Qué tipo de aplicaciones requieren una potencia tan elevada?
Las aplicaciones que requieren un manejo de potencia significativo, como los controles de motores, los sistemas de energías renovables y la automatización industrial, se benefician de sus potencias nominales robustas.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1 ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines