MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
232-0382
Nº ref. fabric.:
IMW65R027M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

47A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolSiC

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 3 contactos. La tecnología MOSFET CoolSiC aprovecha las fuertes características físicas del carburo de silicio, añadiendo características únicas que aumentan el rendimiento, la solidez y la facilidad de uso del dispositivo. El MOSFET 650V se basa en un semiconductor de zanja de última generación, optimizado para permitir que no se comprometan a obtener las pérdidas más bajas de la aplicación y la máxima fiabilidad de funcionamiento.

Capacidades bajas

Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores

Fiabilidad superior de óxido de puerta

Excelente comportamiento térmico

Mayor capacidad de avalancha

Funciona con controladores estándar

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