MOSFET Infineon IMW65R027M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 232-0382
- Nº ref. fabric.:
- IMW65R027M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
72 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 30)
13,247 €
(exc. IVA)
16,029 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 13,247 € | 397,41 € |
| 60 - 60 | 12,585 € | 377,55 € |
| 90 + | 11,79 € | 353,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 232-0382
- Nº ref. fabric.:
- IMW65R027M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 3 contactos. La tecnología MOSFET CoolSiC aprovecha las fuertes características físicas del carburo de silicio, añadiendo características únicas que aumentan el rendimiento, la solidez y la facilidad de uso del dispositivo. El MOSFET 650V se basa en un semiconductor de zanja de última generación, optimizado para permitir que no se comprometan a obtener las pérdidas más bajas de la aplicación y la máxima fiabilidad de funcionamiento.
Capacidades bajas
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con controladores estándar
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con controladores estándar
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 47 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Serie | CoolSiC |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,034 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5.7V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Silicio |
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon IMW65R027M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247 de 3 pines
- MOSFET Infineon SPW47N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247 de 3...
- MOSFET onsemi NTHL060N065SC1, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247 de 3 pines
- MOSFET onsemi NTH4L060N065SC1, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET Infineon IPP60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPW65R115CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 82 A, TO-247 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPB65R099CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 107 A, TO-263...
- MOSFET Infineon IPD65R225C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 11 A, TO-252 de 3 pines