MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 41 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
219-6006
Nº ref. fabric.:
IPP65R225C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

225mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Longitud

10.36mm

Anchura

15.95 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión CoolMOS C7 de Infineon es un revolucionario paso adelante en tecnología, proporcionando el encapsulado/RDS(on) más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en todo el rango de carga.

Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones de inversor solar y SMPS

Encapsulado/pérdidas de conducción más bajas

Pérdidas de conmutación bajas

Mejor eficiencia de carga ligera

Aumento de la densidad de potencia

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