MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R225C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 41 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
219-6007
Nº ref. fabric.:
IPP65R225C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

225mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Anchura

15.95 mm

Altura

4.57mm

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión CoolMOS C7 de Infineon es un revolucionario paso adelante en tecnología, proporcionando el encapsulado/RDS(on) más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en todo el rango de carga.

Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones de inversor solar y SMPS

Encapsulado/pérdidas de conducción más bajas

Pérdidas de conmutación bajas

Mejor eficiencia de carga ligera

Aumento de la densidad de potencia

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