MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R225C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 41 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

10,50 €

(exc. IVA)

12,70 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 202,10 €10,50 €
25 - 451,892 €9,46 €
50 - 1201,764 €8,82 €
125 - 2451,64 €8,20 €
250 +1,534 €7,67 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-6007
Nº ref. fabric.:
IPP65R225C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

225mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Anchura

15.95 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión CoolMOS C7 de Infineon es un revolucionario paso adelante en tecnología, proporcionando el encapsulado/RDS(on) más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en todo el rango de carga.

Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones de inversor solar y SMPS

Encapsulado/pérdidas de conducción más bajas

Pérdidas de conmutación bajas

Mejor eficiencia de carga ligera

Aumento de la densidad de potencia

Enlaces relacionados