MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R225C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 41 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
219-6007
Nº ref. fabric.:
IPP65R225C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

225mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Anchura

15.95 mm

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión CoolMOS C7 de Infineon es un revolucionario paso adelante en tecnología, proporcionando el encapsulado/RDS(on) más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en todo el rango de carga.

Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones de inversor solar y SMPS

Encapsulado/pérdidas de conducción más bajas

Pérdidas de conmutación bajas

Mejor eficiencia de carga ligera

Aumento de la densidad de potencia

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