MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
220-7349
Nº ref. fabric.:
BSC014N04LSTATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

205A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

115W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5.35mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1 mm

Altura

1.2mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon OptiMOS 5 de potencia en encapsulado SuperSO8 ofrece la última tecnología junto con mejoras de temperatura en el encapsulado. Esta nueva combinación permite una mayor densidad de potencia, así como una mayor solidez. En comparación con los dispositivos de menor valor nominal, la función TJ_MAX de 175 °C ofrece más potencia a una temperatura de unión de funcionamiento superior o una vida útil superior a la misma temperatura de unión de funcionamiento. Además, se consigue una mejora del 20 % en el área de funcionamiento seguro (SOA). Esta nueva característica de encapsulado es perfecta para aplicaciones como telecomunicaciones, controladores de motor y servidor.

Baja RDS(on)

Optimizado para rectificación síncrona

Capacidad de 175 °C mejorada en SuperSO8

Vida útil más larga

Máxima eficiencia y densidad de potencia

Máxima fiabilidad del sistema

Resistencia térmica

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