MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon BSC014N04LSTATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 220-7350
- Nº ref. fabric.:
- BSC014N04LSTATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
9,95 €
(exc. IVA)
12,05 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4455 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,99 € | 9,95 € |
| 50 - 120 | 1,648 € | 8,24 € |
| 125 - 245 | 1,556 € | 7,78 € |
| 250 - 495 | 1,434 € | 7,17 € |
| 500 + | 1,332 € | 6,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7350
- Nº ref. fabric.:
- BSC014N04LSTATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 205A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 115W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 205A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 115W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon OptiMOS 5 de potencia en encapsulado SuperSO8 ofrece la última tecnología junto con mejoras de temperatura en el encapsulado. Esta nueva combinación permite una mayor densidad de potencia, así como una mayor solidez. En comparación con los dispositivos de menor valor nominal, la función TJ_MAX de 175 °C ofrece más potencia a una temperatura de unión de funcionamiento superior o una vida útil superior a la misma temperatura de unión de funcionamiento. Además, se consigue una mejora del 20 % en el área de funcionamiento seguro (SOA). Esta nueva característica de encapsulado es perfecta para aplicaciones como telecomunicaciones, controladores de motor y servidor.
Baja RDS(on)
Optimizado para rectificación síncrona
Capacidad de 175 °C mejorada en SuperSO8
Vida útil más larga
Máxima eficiencia y densidad de potencia
Máxima fiabilidad del sistema
Resistencia térmica
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 300 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines