Transistor MOSFET & Diodo Infineon BSC014N04LSTATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, TDSON de 8 pines, 2elementos

El MOSFET Infineon OptiMOS 5 de potencia en encapsulado SuperSO8 ofrece la última tecnología junto con mejoras de temperatura en el encapsulado. Esta nueva combinación permite una mayor densidad de potencia, así como una mayor solidez. En comparación con los dispositivos de menor valor nominal, la función TJ_MAX de 175 °C ofrece más potencia a una temperatura de unión de funcionamiento superior o una vida útil superior a la misma temperatura de unión de funcionamiento. Además, se consigue una mejora del 20 % en el área de funcionamiento seguro (SOA). Esta nueva característica de encapsulado es perfecta para aplicaciones como telecomunicaciones, controladores de motor y servidor.

Baja RDS(on)
Optimizado para rectificación síncrona
Capacidad de 175 °C mejorada en SuperSO8
Vida útil más larga
Máxima eficiencia y densidad de potencia
Máxima fiabilidad del sistema
Resistencia térmica