MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon BSC13DN30NSFDATMA1, VDSS 300 V, ID 16 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 220-7357
- Nº ref. fabric.:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 220-7357
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- BSC13DN30NSFDATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 300V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 300V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diodo rápido Infineon OptiMOS (FD) 200V, 250V y 300V está optimizado para conmutación dura de diodo de cuerpo. Estos dispositivos son la elección perfecta para aplicaciones de conmutación dura como telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales, amplificadores de audio de clase D, control de motor e inversor dc-ac.
Mejora de la resistencia a la conmutación dura
Comportamiento de conmutación dura optimizado
Los R DS(on), Q g y Q rr más bajos del sector
Conformidad con RoHS, sin halógenos
Máxima fiabilidad del sistema
Reducción de costes del sistema
Máxima eficiencia y densidad de potencia
Productos de fácil diseño
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