MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 220-7434
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R360P6SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 220-7434
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- IPL60R360P6SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89.3W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89.3W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon new Cool MOS Thin PAK 5x6 es un encapsulado SMD sin cable especialmente diseñado para MOSFET de alta tensión. Este nuevo encapsulado tiene un tamaño muy pequeño de 5x6mm 2 y un perfil muy bajo con solo 1mm de altura. Este tamaño de encapsulado significativamente más pequeño en combinación con sus inductancias parásitas bajas de referencia se puede utilizar como una forma nueva y eficaz de reducir el tamaño de la solución de sistema en diseños accionados por densidad de potencia. El encapsulado Thin PAK 5x6 se caracteriza por una inductancia de fuente muy baja de 1,6 NH, así como un rendimiento térmico similar a DPAK. Por tanto, el encapsulado permite una conmutación más rápida y, por tanto, más eficiente de MOSFET de potencia y es más fácil de manejar en términos de comportamiento de conmutación y EMI.
Pérdidas extremadamente bajas debido a un bajo FOMRdson*QG y Eoss
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Compuesto de molde libre de halógenos y sin plomo
Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC
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