Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPZA60R060P7XKSA1, VDSS 650 V, ID 151 A, TO-247-4 de 4 pines, 2elementos
- Código RS:
- 220-7466
- Nº ref. fabric.:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
7,355 €
(exc. IVA)
8,90 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
2 - 8 | 7,355 € | 14,71 € |
10 - 18 | 5,81 € | 11,62 € |
20 - 48 | 5,37 € | 10,74 € |
50 - 98 | 5,00 € | 10,00 € |
100 + | 4,635 € | 9,27 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7466
- Nº ref. fabric.:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de súper unión MOS P7 Infineon 600V Cool es el sucesor de la serie 600V Cool MOS P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.
El 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia
Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC
Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes
Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia
Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC
Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes
Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 151 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Tipo de Encapsulado | TO-247-4 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 4 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,06 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Enlaces relacionados
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPZA60R060P7XKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW65R110CFDAFKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW60R090CFD7XKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW60R099P6XKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPDD60R080G7XTMA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPDD60R150G7XTMA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPS60R1K0CEAKMA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPB60R060P7ATMA1, VDSS 650 V,...