MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, VSON de 5 pines
- Código RS:
- 220-7428
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R065P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7428
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R065P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | VSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 201W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado VSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 201W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8.1mm | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) es el sucesor de la serie 600V Cool MOS P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.
El 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia
Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC
Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes
Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo
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