MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, VSON de 5 pines
- Código RS:
- 220-7432
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R105P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (3000 unidades, en bobina de 3000)*
5.373,00 €
(exc. IVA)
6.501,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 05 de julio de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,791 € | 5.373,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7432
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R105P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | VSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 105mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 137W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado VSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 137W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET y diodo CoolMOS serie P7 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 100 A - IPL60R105P7AUMA1
Este MOSFET y diodo es un dispositivo de conmutación de potencia de alta tensión diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en contextos de conversión de potencia y conmutación. Combina un transistor de modo de mejora de canal N con un diodo integrado para manejar tensiones de fuente de drenaje elevadas y corrientes continuas sustanciales al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 100 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La Rds(on) máxima de 105 mΩ reduce las pérdidas por conducción en las etapas de potencia
• La disipación de potencia máxima de 137 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta típica de 45 nC a Vgs de 20 V equilibra los requisitos de accionamiento
• El encapsulado de 5 pines VSON admite una integración compacta de montaje en superficie
• La corriente de drenaje continua de 100 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La Rds(on) máxima de 105 mΩ reduce las pérdidas por conducción en las etapas de potencia
• La disipación de potencia máxima de 137 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta típica de 45 nC a Vgs de 20 V equilibra los requisitos de accionamiento
• El encapsulado de 5 pines VSON admite una integración compacta de montaje en superficie
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de lado primario SMPS en convertidores de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación fuera de línea que requieren un diodo MOSFET de alta tensión
• Se utiliza para rectificación síncrona en diseños de convertidores de alta potencia
• Se puede utilizar para etapas frontales de accionamiento de motor industrial
• Apto para convertidores dc-dc que manejan una corriente continua considerable
• Ideal para fuentes de alimentación fuera de línea que requieren un diodo MOSFET de alta tensión
• Se utiliza para rectificación síncrona en diseños de convertidores de alta potencia
• Se puede utilizar para etapas frontales de accionamiento de motor industrial
• Apto para convertidores dc-dc que manejan una corriente continua considerable
¿Qué rango de tensión de accionamiento de puerta está permitido para un funcionamiento seguro?
El dispositivo acepta tensiones de fuente de puerta de hasta 20 V al tiempo que funciona como un dispositivo de canal N de modo de mejora.
¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el funcionamiento?
Está especificado para un funcionamiento continuo de −40 a 150 °C.
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el diseño?
El encapsulado de montaje en superficie de 5 contactos VSON permite un montaje de perfil bajo y una soldadura de PCB sencilla para montajes compactos.
¿Cuál es el presupuesto típico que deben tener los diseñadores de carga de conmutación en los controladores de puerta?
Espera una carga de puerta total típica de alrededor de 45 nC a la tensión de puerta nominal, lo que informa los cálculos de corriente de controlador y pérdida de conmutación.
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, VSON de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines