Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPL60R095CFD7AUMA1, VDSS 650 V, ID 97 A, ThinkPAK 8 x 8 de 5 pines
- Código RS:
- 220-7431
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
3,945 €
(exc. IVA)
4,773 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
2 - 8 | 3,945 € | 7,89 € |
10 - 18 | 3,195 € | 6,39 € |
20 - 48 | 3,00 € | 6,00 € |
50 - 98 | 2,80 € | 5,60 € |
100 + | 2,605 € | 5,21 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7431
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El Infineon 600V Cool MOS CFD7 es la última tecnología MOSFET de súper unión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie Cool MOS 7. El MOS CFD7 frío se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69 % inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
La mejor resistencia a conmutación dura de su clase
Máxima fiabilidad para topologías resonantes
Máxima eficiencia con una extraordinaria facilidad de uso/equilibrio de rendimiento
Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
La mejor resistencia a conmutación dura de su clase
Máxima fiabilidad para topologías resonantes
Máxima eficiencia con una extraordinaria facilidad de uso/equilibrio de rendimiento
Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 97 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo de Encapsulado | ThinkPAK 8 x 8 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 5 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,065 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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