MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, VSON de 4 pines

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Código RS:
222-4682
Nº ref. fabric.:
IPL60R185C7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

185mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

77W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Anchura

8.1 mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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