MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 15 A, Mejora, VSON de 5 pines

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Código RS:
214-9077
Nº ref. fabric.:
IPL65R130C7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

130mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

102W

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8.1 mm

Altura

1.1mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. La gama de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de súper unión de conmutación rápida que ofrecen mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.

Fácil de usar/conducir gracias al contacto de fuente del controlador para mejorar control de la puerta

Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC (J-STD20 Y JESD22)

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