MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 19.2 A, Mejora, VSON de 5 pines
- Código RS:
- 214-9075
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2.700,00 €
(exc. IVA)
3.270,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 16 de agosto de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,90 € | 2.700,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9075
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Encapsulado | VSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 210mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 151W | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Encapsulado VSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 151W | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 8.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistor de potencia CoolMOSaP6 de 600 V
La familia de MOSFET de superjunción CoolMOSTM P6 de Infineon está diseñada para permitir una mayor eficiencia del sistema al tiempo que es fácil de diseñar. CoolMOSTM P6 cierra la brecha entre las tecnologías que se centran en ofrecer el máximo rendimiento y las que se centran más en la facilidad de uso.
Resumen de las características
Ventajas
Aplicaciones potenciales
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines