MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 22.4 A, Mejora, VSON de 5 pines

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Código RS:
214-9073
Nº ref. fabric.:
IPL60R180P6AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolMOS P6

Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Disipación de potencia máxima Pd

176W

Anchura

8.1 mm

Altura

1.1mm

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.

Mayor resistencia de mosfet dv/dt

Fácil de usar/conducir

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