MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, VSON de 5 pines

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Código RS:
214-9069
Nº ref. fabric.:
IPL60R104C7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

VSON

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

104mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

122W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8.1 mm

Longitud

8.1mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Son adecuados para funciones de conmutación dura y suave. Se suministra con soluciones de densidad de potencia aumentada gracias a encapsulados más pequeños. Incorpora soluciones de diseño y montaje de PCB optimizadas.

Adecuado para conmutación dura y suave

Encapsulado SMD con muy baja inductancia parásita para facilitar el dispositivo control

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