MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 267 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
221-6699
Nº ref. fabric.:
NTBGS1D5N06C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

267A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

NTBGS1D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.55mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

211W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.2mm

Altura

15.7mm

Estándar de automoción

No

El 60V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 267A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene menos ruido de conmutación/EMI y minimiza las pérdidas de conducción.

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

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