MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 267 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
221-6699
Nº ref. fabric.:
NTBGS1D5N06C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

267A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

NTBGS1D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.55mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

211W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

15.7mm

Longitud

10.2mm

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El 60V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 267A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene menos ruido de conmutación/EMI y minimiza las pérdidas de conducción.

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

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