MOSFET onsemi FDB035N10A, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-1376
Nº ref. fabric.:: FDB035N10A
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB035N10A, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

500 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)

3,956 €

(exc. IVA)

4,787 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
800 +	3,956 €	3.164,80 €

*precio indicativo

Código RS:: 124-1376
Nº ref. fabric.:: FDB035N10A
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	333 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	89 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.67mm
Ancho	9.65mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm