MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB088N08, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
759-9465
Nº ref. fabric.:
FDB088N08
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

91nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.25V

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

11.33 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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