MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
221-6709
Nº ref. fabric.:
NTH4LN067N65S3H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

NTH4LN067N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

266W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

22.74mm

Anchura

5.2 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.

Carga de puerta ultrabaja

Baja capacitancia de salida efectiva: 691 pF

100 % a prueba de avalancha

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