MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 221-6709
- Nº ref. fabric.:
- NTH4LN067N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 221-6709
- Nº ref. fabric.:
- NTH4LN067N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTH4LN067N | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 67mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 266W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 22.74mm | |
| Anchura | 5.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTH4LN067N | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 266W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 22.74mm | ||
Anchura 5.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
Carga de puerta ultrabaja
Baja capacitancia de salida efectiva: 691 pF
100 % a prueba de avalancha
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