MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 120 V, ID 93 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 221-6721
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 221-6721
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 93A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 93A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMFS006N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET MV de canal N de on Semiconductor se fabrica mediante un Advanced Power Trench Process que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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