MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS006N12MCT1G, VDSS 120 V, ID 93 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 221-6722
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 221-6722
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 93A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.3mm | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 93A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMFS006N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.3mm | ||
Longitud 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET MV de canal N de on Semiconductor se fabrica mediante un Advanced Power Trench Process que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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