MOSFET, N-Canal onsemi NTMFS0D6N03CT1G, VDSS 30 V, ID 433 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 221-6726
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS0D6N03CT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 100 + | 1,784 € | 8,92 € |
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- Código RS:
- 221-6726
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS0D6N03CT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 433A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | NTMFS0D6N | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.62mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 433A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie NTMFS0D6N | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.62mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.3mm | ||
Anchura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El 30V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 433 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Mejora la gestión de corriente de entrada y también mejora la eficiencia del sistema.
Encapsulado Advanced (5x6mm)
RDS(on) ultrabaja para mejorar la eficiencia del sistema
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