MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 28.3 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
221-6759
Nº ref. fabric.:
NVTFS4C02NTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

NVTFS

Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.15mm

Anchura

0.8 mm

Longitud

3.15mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE on Semiconductor de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano 3x3mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. La opción de flanco sumergible está disponible para una inspección óptica mejorada. Utilizaba MOSFET con certificación AEC-Q101 y capacidad PPAP para aplicaciones de automoción.

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