MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 28.3 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
221-6759
Nº ref. fabric.:
NVTFS4C02NTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

28.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDFN

Serie

NVTFS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

3.15mm

Longitud

3.15mm

Anchura

0.8 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE on Semiconductor de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano 3x3mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. La opción de flanco sumergible está disponible para una inspección óptica mejorada. Utilizaba MOSFET con certificación AEC-Q101 y capacidad PPAP para aplicaciones de automoción.

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