MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVTFS4C02NTAG, VDSS 30 V, ID 28.3 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 221-6760
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS4C02NTAG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6760
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS4C02NTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NVTFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 0.8 mm | |
| Altura | 3.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NVTFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 0.8 mm | ||
Altura 3.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE on Semiconductor de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano 3x3mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. La opción de flanco sumergible está disponible para una inspección óptica mejorada. Utilizaba MOSFET con certificación AEC-Q101 y capacidad PPAP para aplicaciones de automoción.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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