MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.937,50 €

(exc. IVA)

2.345,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,775 €1.937,50 €

*precio indicativo

Código RS:
222-4381
Nº ref. fabric.:
SP8M4HZGTB
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOP

Serie

SP8M4

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.75mm

Anchura

6 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M4HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET NCH+PCH 30V con diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS

Certificación AEC-Q101

Enlaces relacionados