MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
222-4613
Nº ref. fabric.:
AUIRFR4292TRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

345mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.73 mm

Longitud

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.39mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología Advanced Process

Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja

Sin plomo, Conformidad RoHS

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