MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4661
Nº ref. fabric.:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.58 mm

Longitud

5.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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