MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
222-4722
Nº ref. fabric.:
IPW60R170CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.21mm

Longitud

16.13mm

Anchura

21.1 mm

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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