MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
145-8600
Nº ref. fabric.:
IPW60R190P6FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS P6

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

151W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Altura

21.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

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