MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 110-9099
Nº ref. fabric.:: IPW60R190P6FKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

100 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

3,166 €

(exc. IVA)

3,831 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 20	3,166 €	15,83 €
25 - 45	2,534 €	12,67 €
50 - 120	2,344 €	11,72 €
125 - 245	2,186 €	10,93 €
250 +	2,028 €	10,14 €

*precio indicativo

Código RS:: 110-9099
Nº ref. fabric.:: IPW60R190P6FKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon

La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS^™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	CoolMOS™ P6
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	190 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	151 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	37 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	16.13mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	5.21mm
Material del transistor	Si
Tensión de diodo directa	0.9V
Altura	21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C