MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBF170R650M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 7.4 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4851
Nº ref. fabric.:
IMBF170R650M1XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1700V

Serie

IMBF1

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

650mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC en un encapsulado de separación alta TO-263-7 está optimizado para topologías de retorno que se utilizan en fuentes de alimentación auxiliares conectadas a tensiones de enlace dc de 600 V a 1.000 V en numerosas aplicaciones de alimentación.

Optimizado para topologías de devolución de vuelo

Pérdida de conmutación extremadamente baja

Tensión de fuente de puerta de 12 V / 0 V compatible con controladores de retorno

DV/dt completamente controlable para optimización EMI

Encapsulado SMD con separación y separación mejoradas, > 7 mm

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