MOSFET Infineon IMBF170R650M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 7,4 A, TO-263-7 de 7 pines

Código RS:: 222-4851
Nº ref. fabric.:: IMBF170R650M1XTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IMBF170R650M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 7,4 A, TO-263-7 de 7 pines

812 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

5,175 €

(exc. IVA)

6,262 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 18	5,175 €	10,35 €
20 - 48	4,71 €	9,42 €
50 - 98	4,395 €	8,79 €
100 - 198	4,09 €	8,18 €
200 +	3,775 €	7,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4851
Nº ref. fabric.:: IMBF170R650M1XTMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IMBF170R650M1XTMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC en un encapsulado de separación alta TO-263-7 está optimizado para topologías de retorno que se utilizan en fuentes de alimentación auxiliares conectadas a tensiones de enlace dc de 600 V a 1.000 V en numerosas aplicaciones de alimentación.

Optimizado para topologías de devolución de vuelo
Pérdida de conmutación extremadamente baja
Tensión de fuente de puerta de 12 V / 0 V compatible con controladores de retorno
DV/dt completamente controlable para optimización EMI
Encapsulado SMD con separación y separación mejoradas, > 7 mm

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1700 V
Serie	IMBF1
Tipo de Encapsulado	TO-263-7
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	650 m.Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IMBF170R650M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 7,4 A, TO-263-7 de 7 pines

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