MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

Código RS:: 222-4935
Nº ref. fabric.:: IPS70R900P7SAKMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:: 222-4935
Nº ref. fabric.:: IPS70R900P7SAKMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	700V
	Encapsulado	TO-251
	Serie	IPS70R
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	900mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Disipación de potencia máxima Pd	30.5W
	Tensión directa Vf	0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.8nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.73mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	2.4 mm
	Altura	6.22mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V
	Encapsulado TO-251
	Serie IPS70R
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Disipación de potencia máxima Pd 30.5W
	Tensión directa Vf 0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.73mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 2.4 mm
	Altura 6.22mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPS70R900P7SAKMA1

Infineon se ha desarrollado para servir a las tendencias actuales y, especialmente, a las del futuro en topologías de retorno: La nueva serie MOSFET de superunión 700V CoolMOS™ P7 se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo mejoras de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de superunión utilizadas hoy en día. Al combinar las opiniones de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de superunión, el 700V CoolMOS™ P7 permite la mejor adaptación para aplicaciones de destino en términos de:

Permite conmutación de alta velocidad

Diodo Zener de protección integrada

V (GS)th optimizada de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.

Cartera finamente graduada

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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