MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 225-9916
- Nº ref. fabric.:
- SIHP15N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
13,08 €
(exc. IVA)
15,825 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,616 € | 13,08 € |
| 50 - 120 | 2,354 € | 11,77 € |
| 125 - 245 | 2,146 € | 10,73 € |
| 250 - 495 | 1,96 € | 9,80 € |
| 500 + | 1,832 € | 9,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 225-9916
- Nº ref. fabric.:
- SIHP15N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.71mm | |
| Anchura | 4.65 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.52mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.71mm | ||
Anchura 4.65 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.52mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Energía nominal de avalancha (UIS)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines