MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5102DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 110 A, SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
225-9926
Nº ref. fabric.:
SIR5102DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SO-8

Serie

N-Channel 100 V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

6.25W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.26mm

Longitud

6.25mm

Anchura

1.12 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo

100 % Rg y UIS probados

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