MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUP70042E-GE3, VDSS 100 V, ID 150 A, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

18,91 €

(exc. IVA)

22,88 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 25 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 415 unidad(es) más para enviar a partir del 27 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 453,782 €18,91 €
50 - 1203,406 €17,03 €
125 - 2453,216 €16,08 €
250 - 4953,026 €15,13 €
500 +2,80 €14,00 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
225-9972
Nº ref. fabric.:
SUP70042E-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

N-Channel 100 V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

29.51mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.51 mm

Altura

4.65mm

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

MOSFET de potencia TrenchFET

Temperatura de unión máxima de 175 °C.

Qgd muy bajo reduce la pérdida de potencia al pasar a través de V(meseta)

100 % Rg y UIS probados

Enlaces relacionados