MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUP70042E-GE3, VDSS 100 V, ID 150 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 225-9972
- Nº ref. fabric.:
- SUP70042E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,864 € | 19,32 € |
| 50 - 120 | 3,478 € | 17,39 € |
| 125 - 245 | 3,286 € | 16,43 € |
| 250 - 495 | 3,092 € | 15,46 € |
| 500 + | 2,858 € | 14,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 225-9972
- Nº ref. fabric.:
- SUP70042E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 84nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.65mm | |
| Longitud | 29.51mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 84nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.65mm | ||
Longitud 29.51mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
MOSFET de potencia TrenchFET
Temperatura de unión máxima de 175 °C.
Qgd muy bajo reduce la pérdida de potencia al pasar a través de V(meseta)
100 % Rg y UIS probados
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