MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SUP50010EL-GE3, VDSS 60 V, ID 150 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
653-152
Nº ref. fabric.:
SUP50010EL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SUP50010EL

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00173Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

192nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET Gen IV de Vishay tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 60 V. Dispone de una carga de drenaje de puerta (Qgd) muy baja para reducir las pérdidas de conmutación y es compatible con el manejo de alta corriente de hasta 150 A. Envasado en un D2PAK, es ideal para convertidores dc/dc, accionamientos de motor, gestión de baterías y rectificación síncrona en fuentes de alimentación.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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