MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SUP50010EL-GE3, VDSS 60 V, ID 150 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 653-152
- Nº ref. fabric.:
- SUP50010EL-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Producto Alternativo
Este producto actualmente no se encuentra disponible. Le sugerimos la siguiente alternativa.
Unidad
5,32 €
(exc. IVA)
6,44 €
(inc.IVA)
- Código RS:
- 653-152
- Nº ref. fabric.:
- SUP50010EL-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SUP50010EL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00173Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 192nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SUP50010EL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00173Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 192nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET Gen IV de Vishay tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 60 V. Dispone de una carga de drenaje de puerta (Qgd) muy baja para reducir las pérdidas de conmutación y es compatible con el manejo de alta corriente de hasta 150 A. Envasado en un D2PAK, es ideal para convertidores dc/dc, accionamientos de motor, gestión de baterías y rectificación síncrona en fuentes de alimentación.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, PowerPAK de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, PowerPAK de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-220 de 3 pines