MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 150 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines
- Código RS:
- 653-151
- Nº ref. fabric.:
- SUM50010EL-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
3,20 €
(exc. IVA)
3,87 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 775 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,20 € |
| 10 - 24 | 3,11 € |
| 25 - 99 | 3,04 € |
| 100 - 499 | 2,59 € |
| 500 + | 2,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-151
- Nº ref. fabric.:
- SUM50010EL-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SUM50010EL | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00173Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 192nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SUM50010EL | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00173Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 192nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET Gen IV de Vishay tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 60 V. Dispone de una carga de drenaje de puerta (Qgd) muy baja para minimizar la pérdida de potencia durante la conmutación y es compatible con el manejo de alta corriente de hasta 150 A. Envasado en un D2PAK, es ideal para convertidores dc/dc, accionamientos de motor, gestión de batería y rectificación síncrona secundaria en fuentes de alimentación2.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, PowerPAK de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 6 pines
